一种高取向性二硒化钨纳米线的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210374547.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102849692A | 公开（公告）日 | 2014-08-13 |
| 申请公布号 | CN102849692A | 申请公布日 | 2014-08-13 |
| 分类号 | C01B19/04;B82Y30/00 | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 李京波;孟秀清;李庆跃;李凯;汪林望;池旭明 | 申请（专利权）人 | 浙江东晶光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 金华科源专利事务所有限公司 | 代理人 | 黄飞 |
| 地址 | 321016浙江省金华市秋滨街道花溪路218号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种二硒化钨纳米线的制备方法，特别是高取向性二硒化钨（WSe2）纳米线的制备方法，具体是采用两步反应法，首先以Na2WO4·2H2O和CH3CSNH2为反应溶质，以CTAB为络合剂，纯度为18兆欧以上的去离子水做反应溶剂，采用水热方法制备出WO2纳米线通过水热方法制备出了WO2纳米线，然后再将这种纳米线用纯度为99.9％以上的高纯硒硒化，获得了高取向性的二硒化钨纳米线。本发明是一种简单环保的方法，反应过程中采用WO2纳米线作为钨源，采用纯度为99.9％以上的高纯Se硒化，既缩短了反应时间、又避免了H2S、H2等危险性大的气体的使用，大大降低了反应成本、简化了反应设备。 |
