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一种二硫化钨微米结构的制备方法

基本信息

申请号 CN201210371179.2 申请日 -
公开（公告）号 CN102897841A 公开（公告）日 2013-01-30
申请公布号 CN102897841A 申请公布日 2013-01-30
分类号 C01G41/00(2006.01)I 分类 无机化学;
发明人 李京波;孟秀清;李庆跃;李凯;池旭明;夏建白 申请（专利权）人 浙江东晶光电科技有限公司
代理机构 金华科源专利事务所有限公司 代理人 黄飞
地址 321016 浙江省金华市秋滨街道花溪路218号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于半导体微米材料制造类，具体涉及到一种二硫化钨微米结构的制备方法，其特征在于：采用化学气相沉积（CVD）方法，以硫脲和六氯化钨（WCl6）为反应源，在750-950℃真空状态下反应而得到。本发明通过将硫脲和?WCl6?分别放在反应系统的恒温区和低温区，使WC?l6反应温度保持在750-950℃，WCl6与硫脲的温差保持在50-150℃，利用二者的温差使其在特定温度下同时达到饱和蒸汽压，产生蒸汽，进行反应。本发明不仅具有简单易行、环保无毒，还具有产物尺寸均匀的特点，特别是以无毒的硫脲作为S源，既降低了生产成本又减少了H2S等S源的毒性，是一种既经济实惠又环保的制备方法。