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一种集成电路晶圆正面处理工艺

基本信息

申请号 CN202110433196.3 申请日 -
公开（公告）号 CN113140468A 公开（公告）日 2021-07-20
申请公布号 CN113140468A 申请公布日 2021-07-20
分类号 H01L21/48（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 肖广源;罗红军 申请（专利权）人 上海华友金裕微电子有限公司
代理机构 常州市科谊专利代理事务所 代理人 孙彬
地址 201700上海市青浦区盈港东路6666号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种集成电路晶圆正面处理工艺，本发明的有益效果：本处理工艺通过在晶圆基面的表面覆锌，方便将镊与金覆在晶圆上；钯比较稳定，镍和金都容易发生离子迁移，镍层上覆钯，可以把镍层和金层隔开，防止金和镍之间的相互迁移，不会出现黑镍现象。