一种集成电路晶圆背面处理工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110640301.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113380615A | 公开（公告）日 | 2021-09-10 |
| 申请公布号 | CN113380615A | 申请公布日 | 2021-09-10 |
| 分类号 | H01L21/306（2006.01）I;H01L21/3205（2006.01）I;H01L21/321（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I;C23C14/16（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 肖笛;涂利彬;肖广源;罗红军 | 申请（专利权）人 | 上海华友金裕微电子有限公司 |
| 代理机构 | 常州市科谊专利代理事务所 | 代理人 | 孙彬 |
| 地址 | 201700上海市青浦区盈港东路6666号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种集成电路晶圆背面处理工艺，本发明的有益效果：通过在晶圆减薄的工序前增加一道贴玻璃工序，提高了晶圆的整体支撑力，提高成品率，可以将晶圆厚度降低，可以明显降低接触电阻，降低热阻，提高芯片性能；本工艺中选用钛作为底层与晶圆直接接触，另外选用镍和银作为导电金属，利用电子束的方式分别加热钛、镍、银，使钛、镍、银蒸发并依次沉积在晶圆表面，将源极或漏极导出；通过电化学的方式来增加金属银层厚度，可以将金属银层的厚度提高到80um左右，同时保证金属层的结合力和金属层厚度均匀；晶圆背面贴膜可保护去除晶圆表面玻璃时对晶圆损伤，同时对晶圆划片切割作准备。 |
