一种半导体霍尔元器件叠加芯片
基本信息
申请号 | CN202023210128.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN214151018U | 公开(公告)日 | 2021-09-07 |
申请公布号 | CN214151018U | 申请公布日 | 2021-09-07 |
分类号 | G01R33/07(2006.01)I | 分类 | 测量;测试; |
发明人 | 罗红军;肖广源 | 申请(专利权)人 | 上海华友金裕微电子有限公司 |
代理机构 | 常州市科谊专利代理事务所 | 代理人 | 孙彬 |
地址 | 201700上海市青浦区盈港东路6666号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种半导体霍尔元器件叠加芯片,包括锑化铟芯片和锰合金芯片,所述锰合金芯片呈菱形状叠放在锑化铟芯片上,且锰合金芯片与锑化铟芯片之间采用AB型混合绝缘胶连接,所述锑化铟芯片利用绝缘胶固定在框架基岛上。该半导体霍尔元器件叠加芯片方式,锰合金芯片可以感知转动物件磁场,转动物件的转速快慢,磁场会随之变化,磁场大小被锰合金芯片感知,从而影响锑化铟芯片电压输出,根据电压输出的大小读取物件转速,同时根据转速快慢实时进行调整,并实时反馈,形成实时比较调整,保证转动物件转速可控,具有实用性。 |
