首页/ 南京邮电大学资产经营有限责任公司/ 专利详情

一种高压LDMOS器件

基本信息

申请号 CN201310049146.0 申请日 -
公开（公告）号 CN103094350B 公开（公告）日 2016-03-23
申请公布号 CN103094350B 申请公布日 2016-03-23
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 郭宇锋;徐光明;花婷婷;黄示;张长春;夏晓娟 申请（专利权）人 南京邮电大学资产经营有限责任公司
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人 南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
地址 210003 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度，从而提高了器件的最优漂移区浓度，即能够降低器件的正向导通电阻。本发明引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成，无需增加掩膜板和附加的工艺步骤，工艺简单，成本低廉。