氮化镓器件封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202010171081.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113394209A | 公开（公告）日 | 2021-09-14 |
| 申请公布号 | CN113394209A | 申请公布日 | 2021-09-14 |
| 分类号 | H01L25/18（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 窦娟娟;李成;袁理 | 申请（专利权）人 | 青岛聚能创芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 余明伟 |
| 地址 | 266000山东省青岛市崂山区松岭路169号青岛国际创新园B座402 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种氮化镓器件封装结构，包括：引线框架；封装于所述引线框架上的第一芯片，所述第一芯片包含高压耗尽型氮化镓高电子迁移率晶体管；封装于所述第一芯片上的第二芯片，所述第二芯片包含低压增强型硅基金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明通过采用直接叠装的形式，将低压增强型硅基金属氧化物半导体场效应晶体管的漏电极采用导电膜粘接在高压耗尽型氮化镓高电子迁移率晶体管芯片的源极电极处，减少了封装结构中的绑定线，从而减小了寄生电感；直接叠装的结构还优化了芯片的布局排布，有效减小了封装面积；且封装结构不使用DBC板，降低了封装成本。 |
