一种维持反应腔良性环境的方法
基本信息
| 申请号 | CN201911296753.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110970285B | 公开（公告）日 | 2022-02-22 |
| 申请公布号 | CN110970285B | 申请公布日 | 2022-02-22 |
| 分类号 | H01J37/32（2006.01）I;C23C16/44（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴华龙;赵维;何晨光;张康;贺龙飞;廖乾光;刘云洲;陈志涛 | 申请（专利权）人 | 广东省科学院半导体研究所 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 杨勋 |
| 地址 | 510000广东省广州市天河区长兴路363号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种维持反应腔良性环境的方法，涉及外延生长的技术领域。维持反应腔良性环境的方法包括：将完成AlN膜外延生长的生长设备的反应腔加热到预设温度；向所述反应腔通入清洁气体，清除所述反应腔内的杂质颗粒；将所述反应腔保持在所述预设温度，并通入NH3和镓源、且维持预设时长，以在所述反应腔的内壁上沉积GaN覆盖层；清扫所述反应腔的内壁。维持反应腔良性环境的方法能够保证AlN的结晶质量，提高AlN外延制备的效率。 |
