LED芯片结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010031515.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111200046B | 公开（公告）日 | 2022-06-03 |
| 申请公布号 | CN111200046B | 申请公布日 | 2022-06-03 |
| 分类号 | H01L33/46（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李祈昕;刘宁炀;陈志涛;李叶林;曾昭烩;任远;曾巧玉 | 申请（专利权）人 | 广东省科学院半导体研究所 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 510000广东省广州市天河区长兴路363号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的实施例提供了一种LED芯片结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。本发明实施例的LED芯片结构的制作方法包括在金属阻挡层制作前，对金属反射镜的表面进行平滑化处理，再沉积制作金属阻挡层。然后，对金属反射镜和金属阻挡层的组合结构进行退火处理。通过此制作方法，在保证反射镜良好性能的前提下，提高阻挡层金属的沉积质量，减小金属阻挡层的应力作用，并显著简化工艺调整过程，增强工艺的可移植性和兼容性，提升了LED芯片结构的可靠性。本发明实施例提供的LED芯片结构通过本发明实施例的制作方法制得，其金属阻挡层和金属反射镜的结合性好，因此具有较高的可靠性。 |
