半导体器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201811152403.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109300976B | 公开（公告）日 | 2021-11-23 |
| 申请公布号 | CN109300976B | 申请公布日 | 2021-11-23 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黎子兰;刘小平;张树昕 | 申请（专利权）人 | 广东省科学院半导体研究所 |
| 代理机构 | 北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王文红 |
| 地址 | 510000广东省广州市天河区长兴路363号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。通过本申请实施例中的制作方法制造得到的半导体器件，基底与后续制作的外延结构之间具有绝缘层，绝缘层可以有效的抑制在氮化物外延生长过程中对硅衬底的掺杂，从而减少引入硅衬底内的自由载流子，大幅降低硅衬底对外延结构上的电信号响应，大幅减少器件的寄生电容。同时，绝缘层可以有效的抑制器件中通过硅衬底的泄露电流。此外，本申请中的氮化物半导体层是以绝缘层上开口内的基底为成核中心生长得到，使得氮化物半导体层具有更好的晶体质量。 |
