非易失性存储器装置
基本信息
| 申请号 | CN202011102793.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114373766A | 公开（公告）日 | 2022-04-19 |
| 申请公布号 | CN114373766A | 申请公布日 | 2022-04-19 |
| 分类号 | H01L27/11536（2017.01）I;H01L27/11548（2017.01）I;H01L27/11558（2017.01）I;G11C16/24（2006.01）I;G11C16/08（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宁丹;王明 | 申请（专利权）人 | 成都锐成芯微科技股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 610041四川省成都市高新区天府五街200号1号楼A座4楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种具有深N阱的电可擦除可编程的非易失性存储单元及其存储器装置，深N阱可将存储单元与衬底隔离开。该非易失性存储器装置适用于3.3v或更高电压的芯片电路。它包含至少一个非易失性存储单元，被构建在一个P型衬底上，其中每个非易失性存储单元包含：一个深N阱，位于P型衬底中，而且一个N阱和一个P阱位于深N阱中；一个PMOS晶体管位于N阱中，其中该PMOS晶体管包含PMOS栅氧化物；一个NMOS电容位于P阱中，其中该NMOS电容包含NMOS栅氧化物和位于P阱中的N+耦合区；和一个浮栅，该浮栅覆在PMOS晶体管和NMOS电容上；其中PMOS晶体管的栅氧化物位于PMOS晶体管与浮栅之间，NMOS栅氧化物位于NMOS电容与浮栅之间，PMOS晶体管的栅氧化物和NMOS栅氧化物的厚度相同或不同。 |
