掺镓直拉单晶硅的生长方法、掺镓单晶硅及应用
基本信息
| 申请号 | CN202110017582.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112831828A | 公开（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申请公布号 | CN112831828A | 申请公布日 | 2021-05-25 |
| 分类号 | C30B15/04;C30B29/06;H01L31/0288;H01L31/18 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 陈鹏;李晓强 | 申请（专利权）人 | 杭州晶宝新能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 覃蛟 |
| 地址 | 310000 浙江省杭州市西湖区文三路199号创业大厦1105室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了掺镓直拉单晶硅的生长方法、掺镓单晶硅及应用，涉及单晶硅技术领域。该生长方法通过将多晶硅原料和镓掺杂剂加热至硅熔体后，利用切氏直拉单晶法生长硅晶体，在硅晶体的生长阶段通入气态的磷掺杂剂或砷掺杂剂作为施主掺杂剂。发明人创造性地引入气态的施主掺杂剂，能够将凝固比显著增加，在相同质量的硅熔体中可以生长出更大质量的硅晶体，从而较明显地提就高了晶体的生产效率。由上述方法制备得到的掺镓单晶硅电阻率分布更窄，制备成本低，可以在太阳电池中得到应用。 |
