一种单晶硅的生长方法及单晶硅
基本信息
| 申请号 | CN202110287392.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112680787B | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN112680787B | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 陈鹏;李晓强 | 申请（专利权）人 | 杭州晶宝新能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 覃蛟 |
| 地址 | 310000 浙江省杭州市西湖区文三路199号创业大厦1105室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种单晶硅的生长方法及单晶硅，涉及单晶硅技术领域。单晶硅的生长方法，包括：将设定量的多晶硅原料和掺杂剂置于生长容器中采用提拉法进行晶体生长，并在收尾阶段末期继续生长一个待测晶体，通过测试待测晶体的电阻率计算在生长容器的余料中掺杂剂的浓度，进而根据余料中掺杂剂的浓度计算掺杂剂的补充量，以将掺杂剂的浓度补充至设定值进行下一晶体的生长。能够更精确地测试余料中掺杂剂的浓度，达到精确控制下一晶体生长前生长容器中掺杂剂的浓度，使晶体的电阻率能够更精确地进行控制，一定程度上防止晶体电阻率偏离目标值，提升产品合格率。 |
