MEMS加速度传感器的硅盖帽结构
基本信息
| 申请号 | CN201410300621.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105277733B | 公开（公告）日 | 2018-06-08 |
| 申请公布号 | CN105277733B | 申请公布日 | 2018-06-08 |
| 分类号 | G01P1/00;G01P15/00;B81B7/00 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 戴忠伟 | 申请（专利权）人 | 广芯电子技术（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海弼兴律师事务所 | 代理人 | 广芯电子技术（上海）股份有限公司 |
| 地址 | 200030 上海市徐汇区乐山路33号1号楼305室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种MEMS加速度传感器的硅盖帽结构。所述硅盖帽结构包括一顶部、一与所述顶部相垂直的垂直支撑部，所述顶部与所述垂直支撑部构成一用于容置MEMS元器件的半封闭腔体，在所述半封闭腔体的开口端且在所述垂直支撑部的底面上设有一沿所述底面的周向向内和向外延伸的扩展接触部，所述扩展接触部与所述垂直支撑部构成一半工字形的结构。本发明的硅盖帽增大了硅盖帽与金属合金的接触面积，从而增大了键合面积，进一步增强了键合强度；对于硅盖帽与金属合金接触部分，本发明采用了半工字的硅盖帽垂直支撑脚结构，提高了其机械强度，从而使本发明既能满足机械强度的要求又能满足键合强度要求。 |
