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一种用于半导体器件1/f噪声上下限频率的检测方法及装置

基本信息

申请号 CN201710531992.4 申请日 -
公开（公告）号 CN107526016B 公开（公告）日 2019-08-27
申请公布号 CN107526016B 申请公布日 2019-08-27
分类号 G01R31/26 分类 测量；测试;
发明人 郜峰利;周荣轩;郭树旭;牛忠国;齐文斌;王向超 申请（专利权）人 白城福佳科技有限公司
代理机构 长春吉大专利代理有限责任公司 代理人 刘世纯
地址 130012 吉林省长春市前进大街2699号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种用于半导体器件1/f噪声上下限频率的检测方法及装置，装置包括：屏蔽箱，用于屏蔽外界噪声干扰；偏置电路，用于获得实验所需的时域波形；前置放大器，用于放大噪声信号；数字示波器，用于显示输入信号的时域波形；PC机，用于处理所输入的信号。本发明的装置具有较低的本底噪声、较高的屏蔽外界噪声干扰能力，装置中的线绕电位器自身几乎不存在1/f噪声，测得的数据更加精确。本发明的方法除了采用二进制小波变换外，还可以采用其他进制的小波变换，如采用连续小波变换，可以有效提高上下限频率检测的准确性；避免使用通过频谱分析仪，分析所得到的频谱特性曲线，拟合寻找上下限频率这一传统方法。