氮化镓栅极级联单元及其集成的半导体结构
基本信息
| 申请号 | CN202010528527.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111430347B | 公开（公告）日 | 2020-07-17 |
| 申请公布号 | CN111430347B | 申请公布日 | 2020-07-17 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 蒋胜 | 申请（专利权）人 | 嘉兴景焱智能装备技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海霖睿专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 嘉兴景焱智能装备技术有限公司 |
| 地址 | 314100浙江省嘉兴市嘉善县罗星街道归谷二路33号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种氮化镓栅极级联单元，包括功率器件和耗尽型器件，所述功率器件的漏极作为功率器件单元的漏极，功率器件的源极与耗尽型器件的栅极连接，共同作为功率器件单元的源极，功率器件的栅极与耗尽型器件的源极连接，耗尽型器件的漏极作为功率器件单元的栅极，所述功率器件为氮化镓功率器件。本发明还公开了集成氮化镓栅极级联单元的半导体结构。本发明通过将耗尽型器件级联至氮化镓功率器件的栅极的方法，实现对氮化镓功率器件的栅极保护，实现对传统硅器件的直接替代。 |
