一种制作曲面浮雕轮廓器件的掩模版图案优化设计方法

基本信息

申请号 CN202111616388.4 申请日 -
公开(公告)号 CN114297975A 公开(公告)日 2022-04-08
申请公布号 CN114297975A 申请公布日 2022-04-08
分类号 G06F30/392(2020.01)I 分类 计算;推算;计数;
发明人 刘志祥;徐富超;贾辛;谢强 申请(专利权)人 成都同力精密光电仪器制造有限公司
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 代理人 金怡
地址 610209四川省成都市双流350信箱
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种制作曲面浮雕轮廓器件的掩模版图案优化设计方法,根据曝光光强分布与光刻胶不同成分的吸收系数、光敏系数等参数的关系,建立光刻胶的光敏混合物(PAC)浓度分布对曝光光强的响应模型;根据光刻胶完全曝光的显影速率、光刻胶未曝光的显影速率、光敏物质相对浓度的阈值、显影选择常数等参数建立光刻胶显影模型;通过分层计算光刻胶各点PAC浓度分布和显影速率分布,再结合采用微小单元格去除法,建立起从曝光量到实际显影图形轮廓的仿真流程;根据掩模移动曝光原理建立二元掩模开口函数与曝光量的关系;再通过迭代优化算法,优化设计得到曲面浮雕轮廓器件制作所需的掩模版图案。