一种硅晶片的单面去PSG层及抛光的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610676926.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106206280B | 公开（公告）日 | 2019-03-01 |
| 申请公布号 | CN106206280B | 申请公布日 | 2019-03-01 |
| 分类号 | H01L21/306;H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姜涛 | 申请（专利权）人 | 苏州聚晶科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州市指南针专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 李先锋 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市相城区太平街道聚金工业坊顺乐路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硅晶片的单面去PSG层及抛光的制备方法，该方法包括以下工艺流程：入料→单边刻蚀→水洗→吹干→出料→上料→刻蚀→水洗→HF酸洗→水洗→下料。本发明硅晶片的单面去PSG层及抛光的制备方法中的单边刻蚀工序的四甲基氢氧化铵可腐蚀硅晶片下表面的PSG层，使其表面粗糙度达到小于50nm，之后进入HF酸洗工序，使硅晶片的整个表层的光洁度进一步提高，利于硅晶片表层减少太阳光线的散射，使硅晶片的光电转换率达到14％左右。 |
