一种低功耗静电驱动式RF MEMS开关的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910172128.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109911845A | 公开（公告）日 | 2019-06-21 |
| 申请公布号 | CN109911845A | 申请公布日 | 2019-06-21 |
| 分类号 | B81C1/00（2006.01）I; H01H59/00（2006.01）I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 钱娟; 王鹏飞; 陈泓宇 | 申请（专利权）人 | 无锡众创未来科技应用有限公司 |
| 代理机构 | 广州市百拓共享专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 无锡众创未来科技应用有限公司 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市锡山经济开发区芙蓉中三路99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种低功耗静电驱动式RF MEMS开关的制造方法，其采用湿法刻蚀、深反应离子刻蚀、电镀等工艺，优化了现有静电驱动式RF MEMS开关的制造工艺，制造出的RF MEMS开关具有低功耗、高寿命的特点，符合行业需求。 |
