一种MOS衬底的制作方法及MOS衬底结构
基本信息
| 申请号 | CN201910172156.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109860029A | 公开（公告）日 | 2019-06-07 |
| 申请公布号 | CN109860029A | 申请公布日 | 2019-06-07 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李莉; 王谷乔; 曾海军 | 申请（专利权）人 | 无锡众创未来科技应用有限公司 |
| 代理机构 | 广州市百拓共享专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 无锡众创未来科技应用有限公司 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市锡山经济开发区芙蓉中三路99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种MOS衬底的制作方法及MOS衬底结构。本发明的MOS衬底的制作方法，在制作非晶锗层的过程中，采用多步成膜的方式，并在每步成膜后使用含磷化合物气体通过CVD表面处理对非晶锗薄膜进行磷离子注入，最终得到磷离子掺杂的非晶锗层，形成沟道区后无需单独对沟道区进行掺杂，有效简化了制程，降低了生产成本。本发明的MOS衬底结构，沟道区在非晶锗成膜时即完成磷离子注入，无需单独进行沟道掺杂制程，制作简单，生产成本低。 |
