一种SiC衬底双脉冲飞秒激光切片的方法
基本信息
| 申请号 | CN202210238596.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114453770A | 公开（公告）日 | 2022-05-10 |
| 申请公布号 | CN114453770A | 申请公布日 | 2022-05-10 |
| 分类号 | B23K26/38（2014.01）I;B23K26/402（2014.01）I;B23K26/064（2014.01）I;B23K26/067（2006.01）I | 分类 | 机床；不包含在其他类目中的金属加工; |
| 发明人 | 王蓉;许彬杰;皮孝东;王明华;杨德仁 | 申请（专利权）人 | 杭州乾晶半导体有限公司 |
| 代理机构 | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 311200浙江省杭州市萧山区建设三路733号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种SiC衬底双脉冲飞秒激光切片剥离方法，在低能量的飞秒激光双脉冲切割之后，采用“快热冷‑剥离”法来产生足够的内应力，进一步破坏激光切割后的非晶结构，降低所需的外部剥离的机械应力的大小。本发明通过双脉冲的激光切片手段，大大减小了激光切片过程中造成的损伤层厚度，避免了材料的大量浪费；同时，利用“快热冷”手段，大大降低了切片后剥离所需的外部拉力的大小，让其可以被轻松剥离；本发明的方法材料损耗小，加工时间短，成本低，对环境的污染小。 |
