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一种制备半绝缘碳化硅单晶的装置

基本信息

申请号 CN202120944141.4 申请日 -
公开（公告）号 CN214736217U 公开（公告）日 2021-11-16
申请公布号 CN214736217U 申请公布日 2021-11-16
分类号 C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 皮孝东;徐所成;沈典宇;王云霞;程周鹏;杨德仁 申请（专利权）人 杭州乾晶半导体有限公司
代理机构 杭州裕阳联合专利代理有限公司 代理人 金方玮
地址 311200 浙江省杭州市萧山区建设三路733号信息港五期一号楼205-2
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种制备半绝缘碳化硅单晶的装置，包括粉料制备模块、单晶生长模块与空气隔离模块，所述粉料制备模块与所述单晶生长模块并列设置，可将碳化硅粉料送入所述单晶生长模块。本实用新型通过有充满惰性气体的空气隔离模块，将原料、坩埚及保温材料一经放入后就不再取出，完全与外界隔离，通过减少与外界的接触次数来控制杂质元素的含量；并且通过粉料制备模块来制备高纯碳化硅粉料，再通过空气隔离模块将制备得到的高纯碳化硅粉料送入单晶生长模块，从而进行碳化硅单晶的生长。