一种用于剥离晶片的激光加工方法、装置
基本信息
| 申请号 | CN202210315631.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114473188A | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN114473188A | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | B23K26/08（2014.01）I;B23K26/402（2014.01）I;B23K26/53（2014.01）I;B23K26/70（2014.01）I | 分类 | 机床；不包含在其他类目中的金属加工; |
| 发明人 | 潘胜浆;王明华 | 申请（专利权）人 | 杭州乾晶半导体有限公司 |
| 代理机构 | 杭州五洲普华专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 311200浙江省杭州市萧山区建设三路733号信息港五期一号楼205-2 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及激光加工技术领域，公开了一种用于剥离晶片的激光加工方法、装置，包括：提供碳化硅晶锭，将所述碳化硅晶锭按照预定转速进行旋转；在旋转的过程中，按照预定速率沿着所述碳化硅晶锭的半径方向对所述碳化硅晶锭内部进行激光照射从而在所述碳化硅晶锭内部的预定深度处形成改性层；本发明通过碳化硅晶锭做旋转运动，激光扫描线运动，对碳化硅晶锭进行扫描形成改性层，激光改性的运动轨迹不再是晶体内部往复的折线，减少了折线运动过程中电机加速减速所浪费的时间，提高加工效率，通过两个激光头分别对晶体内部和边缘分区域加工，实现了内部和边缘的改性层处于同一水平面上，从而保证了晶片片内的厚度一致性。 |
