一种碳化硅籽晶重复循环利用的方法、装置
基本信息
| 申请号 | CN202210377781.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114457425A | 公开（公告）日 | 2022-05-10 |
| 申请公布号 | CN114457425A | 申请公布日 | 2022-05-10 |
| 分类号 | C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王明华;杨孝泽;朱鑫煌;蒋琳;张振远;王恒;宣丽英 | 申请（专利权）人 | 杭州乾晶半导体有限公司 |
| 代理机构 | 杭州五洲普华专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 311200浙江省杭州市萧山区建设三路733号信息港五期一号楼205-2 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种碳化硅籽晶重复循环利用的方法、装置；包括提供碳化硅晶锭的穹顶部分，其中，所述穹顶部分具有穹顶弧面和相对的切割面，所述切割面的直径大于在后续形成的碳化硅晶圆的直径；将所述穹顶部分作为碳化硅籽晶，所述穹顶部分的穹顶弧面作为晶体生长面，为生长碳化硅单晶提供结构模板，进行碳化硅单晶生长。本发明对在传统制作碳化硅晶圆的工艺路线中不形成产品的部分进行了充分的利用，提高了源材料的利用率，降低了晶圆单片成本，有利于在大规模生产过程中降低碳化硅晶圆的成本。 |
