一种保护碳化硅籽晶背封层的方法
基本信息
| 申请号 | CN202210260433.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114622174A | 公开（公告）日 | 2022-06-14 |
| 申请公布号 | CN114622174A | 申请公布日 | 2022-06-14 |
| 分类号 | C23C14/35（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C30B35/00（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 蒋琳;方忠炜;朱鑫煌;张振远;王明华 | 申请（专利权）人 | 杭州乾晶半导体有限公司 |
| 代理机构 | 杭州五洲普华专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 311200浙江省杭州市萧山区建设三路733号信息港五期一号楼205-2 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种保护碳化硅籽晶背封层的方法，涉及碳化硅晶体制备的领域，通过在碳化膜表面形成一层致密保护层，从而在清洗晶片过程中有效保护背封层，清洗结束后，将碳化膜表面的保护层去除，再进行后续晶体生长。本发明提供的一种保护碳化硅籽晶背封层的方法，在有效清洁籽晶片的同时有效地保护了背封层的完整性，进而有效提高了采用该碳化硅籽晶生长的碳化硅晶体的生长品质。此外，本发明步骤简单，操作方便，对设备和技术人员没有苛刻要求。 |
