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一种生长碳化硅单晶的坩埚结构

基本信息

申请号 CN202120915874.5 申请日 -
公开（公告）号 CN214830783U 公开（公告）日 2021-11-23
申请公布号 CN214830783U 申请公布日 2021-11-23
分类号 C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 皮孝东;徐所成;姚秋鹏;钟红生;王亚哲;罗昊;杨德仁 申请（专利权）人 杭州乾晶半导体有限公司
代理机构 杭州裕阳联合专利代理有限公司 代理人 金方玮
地址 311200 浙江省杭州市萧山区建设三路733号信息港五期一号楼205-2
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种生长碳化硅单晶的坩埚结构，包括加热坩埚与生长坩埚，生长坩埚底部均匀设置加热石墨棒，由于是中频感应加热，磁场从外到内有衰减现象，将加热坩埚对应壁厚减少，并在碳化硅粉源中间加入加热用石墨棒，中频感应加热磁场能够有效的透过加热坩埚，使的加热石墨棒在碳化硅粉源中起到加热的作用，通过石墨棒在粉料中的加热，使得整个生长室内的气氛均匀，并在一定程度上能够加快PVT法气相传输的速率，提高碳化硅晶体生长速度。同时也提高在生长过程中气体径向与轴向运输速度，提高了SiC粉料的利用率，增加原料利用率，降低了原料成本,为企业带来效益。