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单芯片正交混合耦合器管芯和平衡式功率放大器模块

基本信息

申请号 CN201610575796.2 申请日 -
公开（公告）号 CN106098677A 公开（公告）日 2016-11-09
申请公布号 CN106098677A 申请公布日 2016-11-09
分类号 H01L25/07(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 孙江涛;王宇晨 申请（专利权）人 北京翰飞电子科技有限公司
代理机构 北京万象新悦知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 黄凤茹
地址 100101 北京市朝阳区大屯里317号金泉时代广场3单元505室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公布了一种单芯片正交混合耦合器管芯和一种平衡式功率放大器模块，单芯片正交混合耦合器管芯包括先进半导体加工工艺的集成无源器件IPD，IPD结构上至少包括衬底、衬底上至少叠有两层金属走线、金属走线间的介质层和连接金属的过孔；还包括一个或多个片上电感器和片上电容器；片上电感器和片上电容器均都置于同一颗IPD衬底上，无需表贴电感、表贴电容和额外器件装配空间。平衡式功率放大器模块包括输入、输出、驱动放大器、功率放大器和隔离电阻；所有器件均集成在同一模块中；输入和输出均采用上述单芯片正交混合耦合器管芯。本发明具有尺寸紧凑、制造成本低、带内损耗小的优点。