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单芯片正交3dB定向耦合器

基本信息

申请号 CN201810310542.7 申请日 -
公开（公告）号 CN108631036A 公开（公告）日 2018-10-09
申请公布号 CN108631036A 申请公布日 2018-10-09
分类号 H01P5/18;H03H7/01;H01F17/00;H01F27/28 分类 基本电气元件;
发明人 王宇晨;孙江涛;于敦山 申请（专利权）人 北京翰飞电子科技有限公司
代理机构 北京万象新悦知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 北京翰飞电子科技有限公司;北京大学;王宇晨
地址 100101 北京市朝阳区大屯里317号金泉时代广场3单元505室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公布了一种单芯片正交3dB定向耦合器，采用单个芯片，包括管芯、衬底及金属走线；芯片中包括至少六个无源器件；无源器件为电感器或电容器；无源器件中至少两个为电感器；管芯上的两个电感器的构造分别由上层金属走线和下层金属走线平面绕线制成，分别称为上层电感和下层电感；上层电感的上层金属走线与下层电感的下层金属走线重叠，两个电感叠加产生互感；两个电感之间有介质层。管芯上的衬底材料为硅、碳化硅、蓝宝石、Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体或者其他掺杂半导体材料中一种或多种。金属走线的材料为金、铜或其他金属。本发明外形尺寸紧凑，集成度高；成本低廉；精度可控，一致性好。