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一种基于背栅效应与沟道长度调制效应的失调自校正运放

基本信息

申请号 CN201710452912.6 申请日 -
公开（公告）号 CN107370463A 公开（公告）日 2017-11-21
申请公布号 CN107370463A 申请公布日 2017-11-21
分类号 H03F1/26(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I 分类 基本电子电路;
发明人 王红义;陈晨;朱奥麟;周罡;曹灿 申请（专利权）人 西安华泰半导体科技有限公司
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 代理人 西安华泰半导体科技有限公司
地址 710065 陕西省西安市高新区唐延南路十一号3幢1单元11834室
法律状态 -

摘要

摘要 一种基于背栅效应与沟道长度调制效应的失调自校正运放，包括运算放大器模块、比较器模块、控制逻辑单元、逻辑校准单元、可编程电阻和四位DAC模块；比较器模块同相端接运算放大器模块的输出电压VOUT，反相端接VDD/2；比较器模块的输出端连接逻辑控制单元的输入端，逻辑控制单元的输出端连接逻辑校准单元；逻辑校准单元连接四位DAC模块，四位DAC模块连接运算放大器模块；逻辑校准单元和运算放大器模块之间还设置有可编程电阻。本发明校准失调的过程分为粗调和细调两个过程：利用电流镜的衬底偏置效应进行粗调，利用输入管的衬底偏置效应进行细调，有效的提高了精度。