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一种利用铜铟镓硒合金溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法

基本信息

申请号 CN201310099414.X 申请日 -
公开（公告）号 CN103219419B 公开（公告）日 2016-08-03
申请公布号 CN103219419B 申请公布日 2016-08-03
分类号 H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 徐从康 申请（专利权）人 赣州优膜科技有限公司
代理机构 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） 代理人 柏尚春
地址 214192 江苏省无锡市锡山区锡山经济技术开发区芙蓉中三路99号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种利用铜铟镓硒合金溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法，包括以下步骤：以铜铟镓硒合金作为靶材在基底上溅射形成第一贫铜层；以铜铟镓硒合金作为靶材在第一贫铜层上溅射形成富铜层；以铜铟镓硒合金作为靶材在富铜层上溅射形成第二贫铜层，即得。该生产方法将共蒸镀三步工艺法和非真空内部吸收层连结结构法结合，不仅能够显著的提升原材料利用率、成本低，而且溅射工艺过程中沉积速率快，同时还将在铜铟镓硒吸收层中形成优化的镓梯度结构和纳米畴p?n结内吸收层连结结构IAJ，生产出的铜铟镓硒薄膜效率高、面积大、均匀度高。