一种功率MOSFET的沟槽终端结构
基本信息
| 申请号 | CN201320254969.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203260588U | 公开（公告）日 | 2013-10-30 |
| 申请公布号 | CN203260588U | 申请公布日 | 2013-10-30 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王新 | 申请（专利权）人 | 成都瑞芯电子有限公司 |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都瑞芯电子有限公司 |
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区世纪城南路216号天府软件园D区6号楼14层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种功率MOSFET的沟槽终端结构，包括衬底和位于衬底上的外延层，包括如下全部特征：所述外延层上具有第一沟槽和第二沟槽；在沟槽内有栅氧化层；所述第一沟槽内部有多晶硅形成的栅电极；所述第二沟槽内部有多晶硅形成的悬浮场板；在第一沟槽和第二沟槽之间以及第一沟槽靠芯片边界一侧具有体区；在第一沟槽靠芯片边界一侧的体区上面还有源区；在硅片表面还具备隔离氧化层，在隔离氧化层上有与源区形成良好欧姆接触的源级接触结构。本实用新型以较小的占用面积提高了硅片终端部分的击穿电压，并降低了硅片终端结构的设计难度。 |
