一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源

基本信息

申请号 CN201110033087.9 申请日 -
公开(公告)号 CN102053645B 公开(公告)日 2013-01-16
申请公布号 CN102053645B 申请公布日 2013-01-16
分类号 G05F1/56(2006.01)I 分类 控制;调节;
发明人 林秀龙;刘中伟 申请(专利权)人 成都瑞芯电子有限公司
代理机构 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 代理人 梁田
地址 610000 四川省成都市成都高新区世纪城南路216号天府软件园D区6号楼14层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公布了一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源,包括依次连接的自偏置电路(1)、第一级预调整电路(2)、第二级预调整电路(3)、带隙基准核心电路(4)、信号反馈电路(5)。本发明采用了自偏置电流镜结构的自偏置电路,电路就可以自启动,而不再需要额外的启动电路;将第二级预调整电路的输出直接作为基准电压输出并同时给带隙基准核心电路供电,这样的连接方式可以提高基准电压的带载能力;采用了无运放反馈环路调节,与传统基准电压源电路相比,减少了一个进行钳位的运放,节省了面积,减小了静态功耗;输出基准电压的电源抑制比比传统的带隙基准电压源电路有很大提高,特别是在高频下的特性。