量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构
基本信息
| 申请号 | CN201320254968.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203277388U | 公开（公告）日 | 2013-11-06 |
| 申请公布号 | CN203277388U | 申请公布日 | 2013-11-06 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王新 | 申请（专利权）人 | 成都瑞芯电子有限公司 |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都瑞芯电子有限公司 |
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区世纪城南路216号天府软件园D区6号楼14层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 量子场分布的Trench?MOSFET沟槽终端结构,包括外延层，及位于外延层中深度相同的第一隔离槽和平行于第一隔离槽，且位于第一隔离槽远离硅片边界一侧的第二隔离槽；第一隔离槽和第二隔离槽内部都有多晶硅电极，所述多晶硅电极与沟槽内壁之间有栅氧化层，所述第一隔离槽和第二隔离槽之间连接有短隔离槽。采用本实用新型所述的量子场分布的Trench?MOSFET沟槽终端结构，改变了原来终端结构的设计方法，在隔离槽与隔离槽之间用小沟槽相连接，此结构消除了体区边缘的曲率半径，把体区终端部分更充分地变为平行平面结。这种结构既不用设计场板和场限环结合结构中的距离难点，而且还节省了芯片的面积。 |
