一种功率MOSFET的沟槽终端结构及制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种功率MOSFET的沟槽终端结构及制造方法

基本信息

申请号	CN201310173433.2	申请日	-
公开（公告）号	CN103295911A	公开（公告）日	2013-09-11
申请公布号	CN103295911A	申请公布日	2013-09-11
分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	王新	申请（专利权）人	成都瑞芯电子有限公司
代理机构	成都行之专利代理事务所（普通合伙）	代理人	梁田
地址	610000 四川省成都市高新区世纪城南路216号天府软件园D区6号楼14层
法律状态	-

摘要

一种功率MOSFET的沟槽终端结构制造方法，包括：步骤101.在衬底上生长外延层；在外延层上刻蚀形成第一沟槽和第二沟槽；在沟槽内生长栅氧化层；步骤102.在第一沟槽和第二沟槽淀积多晶硅，使多晶硅填充整个沟槽全部内表面，在第一沟槽形成栅电极，在第二沟槽形成悬浮场板；步骤103.在第一沟槽和第二沟槽之间以及第一沟槽靠芯片边界一侧注入形成体区；随后在第一沟槽靠芯片边界一侧的体区注入形成源区；步骤104.在硅片表面淀积隔离氧化层，并在隔离氧化层上构造与源区形成良好欧姆接触的源级接触结构。及利用上述方法得到的功率MOSFET的沟槽终端结构。以较小的占用面积提高了硅片终端部分的击穿电压，并降低了硅片终端结构的设计难度。