一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210311691.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102856385A | 公开（公告）日 | 2013-01-02 |
| 申请公布号 | CN102856385A | 申请公布日 | 2013-01-02 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王新;朱怀宇 | 申请（专利权）人 | 成都瑞芯电子有限公司 |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 谭新民 |
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区世纪城南路216号天府软件园D区6号楼14层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有沟槽源极场板的TrenchMOSFET晶体管及其制备方法，所述晶体管下往上依次包括漏极（213）、衬底（200）、漂移区（201）及源极（212）；漂移区（201）设有若干深沟槽（202），深沟槽（202）内设有沟槽源极场板（204），沟槽源极场板（204）两侧的深沟槽（202）内设有厚氧化层（203），沟槽源极场板（204）两侧的厚氧化层（203）上各设有一个栅极（206），栅极（206）与深沟槽（202）的内壁之间设有栅极氧化层（205）。通过本发明，能增强晶体管的耐压能力，同时获得更快的开关速度、更小的损耗。 |
