一种聚偏氟乙烯花状石墨烯复合压电薄膜及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种聚偏氟乙烯花状石墨烯复合压电薄膜及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110803900.X	申请日	-
公开（公告）号	CN113725351A	公开（公告）日	2021-11-30
申请公布号	CN113725351A	申请公布日	2021-11-30
分类号	H01L41/37（2013.01）I;H01L41/18（2006.01）I;H01L41/193（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	朱伟江;章旭平;郑跃伟;韩得满;吴森祥;袁利平;李荣	申请（专利权）人	浙江百安医疗科技有限公司
代理机构	杭州品众专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	蔡陈祥
地址	318000浙江省台州市仙居县经济开发区白塔区块桐江路30号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种聚偏氟乙烯花状石墨烯复合压电薄膜及其制备方法，包括如下步骤：S1：先将有机溶剂准备好，然后将有机氟修饰花状石墨烯分散在有机溶剂中，制得混合液一；S2：将步骤S1混合液一中加入PVDF混合均匀，制备得到PVDF/花状石墨烯混合液二；S3：对步骤S2混合液二进行涂膜烘干，制得PVDF/花状石墨烯复合压电薄膜，以花状石墨烯作为β晶型成核剂，提高了PVDF的β晶型含量，从而改善了PVDF的压电性能。本发明所述的PVDF/花状石墨烯复合压电薄膜，所用的花状石墨烯经有机氟化学修饰后，不仅改善了其在PVDF基体的分散性，增加花状石墨烯和PVDF基体界面之间的电荷积累，从而大大提高了PVDF的压电性能。