一种新型低电容TVS结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010954549.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111933718A | 公开（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申请公布号 | CN111933718A | 申请公布日 | 2020-11-13 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王洋;施锦源 | 申请（专利权）人 | 深圳市鸿泰集成电路技术有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市中科创为专利代理有限公司 | 代理人 | 深圳市鸿泰集成电路技术有限公司 |
| 地址 | 518000广东省深圳市宝安区福海街道桥头社区福海信息港A1栋406 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种新型低电容TVS结构及其制作方法，该新型低电容TVS结构包括高阻衬底，高阻衬底通过三重扩散工艺形成第一掺杂层及位于第一掺杂层上方的高阻层，高阻层设有沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构将高阻层分为左通道、中间通道和右通道，中间通道形成第二掺杂层，右通道内形成阱区，阱区内、左通道和中间通道内均形成第三掺杂层；采用三重扩散工艺的方式形成高阻层，获得超低电容TVS结构，相对于外延技术获得的高阻层，本发明所述方法实现难度小且制作成本低，所形成的TVS结构具有低电容和高浪涌的性能。 |
