晶圆级扇出的多芯片封装结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111669397.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114171469A | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN114171469A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L23/31（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李宗怿;罗富铭;郭良奎;潘波 | 申请（专利权）人 | 长电集成电路（绍兴）有限公司 |
| 代理机构 | 重庆中之信知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 梁欣 |
| 地址 | 312000浙江省绍兴市临江路500号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种晶圆级扇出的多芯片封装结构，包括：转接结构，以及分别位于所述转接结构下侧和上侧的封装有芯片的第一包封层和第二包封层；所述第二包封层上设有外大内小的多个开口，以及覆盖所述开口且与所述转接结构中的导电金属层电连接的UBM层；在所述UBM层上还设有覆盖所述UBM层的凸起焊料结构。本发明还公开了一种晶圆级扇出的多芯片封装结构制备方法。本发明在包封层上开口并用UBM层覆盖及焊料填充，大大简化了现有技术中用于与外部电路连接的互连结构的制程工艺，节省了成本。 |
