一种多芯片三维堆叠扇出型封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202121230361.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215183916U | 公开（公告）日 | 2021-12-14 |
| 申请公布号 | CN215183916U | 申请公布日 | 2021-12-14 |
| 分类号 | H01L23/31（2006.01）I;H01L25/07（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡正勋;梁新夫;郭洪岩;刘爽;潘波;邵婷婷 | 申请（专利权）人 | 长电集成电路（绍兴）有限公司 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 赵华 |
| 地址 | 312000浙江省绍兴市越城区临江路500号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种多芯片三维堆叠扇出型封装结构，属于芯片封装技术领域。其自上往下依次包括保护层（130）、第一封装体（124）、第一再布线金属层（110）、第二封装体（125）以及第二再布线金属层（118），第一封装体（124）与第二封装体（125）通过第一再布线金属层（110）进行电信号连接，第一封装体（124）设置在第一再布线金属层（110）的上方，第二封装体（125）设置在第一再布线金属层（110）的下方。本实用新型弥补了已有封装结构的不足，适用于超高密度多芯片互联，生产成本更低，更易实现生产。 |
