一种埋入式三维堆叠的晶圆级扇出封装结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111188215.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113809028A | 公开（公告）日 | 2021-12-17 |
| 申请公布号 | CN113809028A | 申请公布日 | 2021-12-17 |
| 分类号 | H01L23/48（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李宗怿;郭良奎;罗富铭;潘波 | 申请（专利权）人 | 长电集成电路（绍兴）有限公司 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 赵华 |
| 地址 | 312000浙江省绍兴市越城区临江路500号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种埋入式三维堆叠的晶圆级扇出封装结构及其制造方法，属于半导体芯片封装技术领域。其构造了带有TSV通孔的桥接芯片结构，其从上而下分布的导电结构包括：金属柱Ⅰ（113）、金属层Ⅰ（112）、金属导电柱（109）、金属层Ⅱ（117）、金属柱Ⅱ（118）和栅极阵列焊球Ⅰ（119），使得电信号能够同时实现第一再布线金属层（203）与第二再布线金属层（209）的电性连接，利用第二再布线金属层（209）、第一再布线金属层（203）以及带有TSV通孔的桥接芯片（122）代替传统的TSV方法实现了芯片间的垂直互联。本发明进一步减小了封装体的厚度，同时，提供了更多的芯片间电信号垂直传输的路径。 |
