一种多芯片三维堆叠扇出型封装结构及其封装方法
基本信息
| 申请号 | CN202110617981.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113192905A | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN113192905A | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H01L23/31;H01L25/07;H01L23/498;H01L21/50 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡正勋;梁新夫;郭洪岩;刘爽;潘波;邵婷婷 | 申请（专利权）人 | 长电集成电路（绍兴）有限公司 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 赵华 |
| 地址 | 312000 浙江省绍兴市越城区临江路500号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种多芯片三维堆叠扇出型封装结构及其封装方法，属于芯片封装技术领域。其自下而上依次包括再布线金属层Ⅰ（10）、第一封装体、再布线金属层Ⅱ（40）和第二封装体，所述第二封装体设置在第一封装体的上方，并第二封装体与第一封装体通过再布线金属层Ⅰ（10）、再布线金属层Ⅱ（40）进行信号连接。本发明弥补了已有封装结构的不足，适用于超高密度多芯片互联，生产成本更低，更易实现生产。 |
