半导体器件以及用于形成低廓形嵌入式晶圆级球栅阵列模塑激光封装的方法
基本信息
| 申请号 | CN201810430430.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108666214B | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN108666214B | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | H01L21/311（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I;H01L23/538（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I;H01L25/10（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 尹胜煜;J.A.卡帕拉斯;林耀剑;P.C.马里穆图 | 申请（专利权）人 | 长电集成电路（绍兴）有限公司 |
| 代理机构 | 中国专利代理（香港）有限公司 | 代理人 | 陈岚 |
| 地址 | 浙江省绍兴市越城区临江路500号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及半导体器件以及用于形成低廓形嵌入式晶圆级球栅阵列模塑激光封装的方法。一种半导体器件，具有半导体管芯，其具有沉积在半导体管芯之上和周围的密封剂。在密封剂的第一表面之上形成互连结构。形成从密封剂的第二表面到密封剂的第一表面的开口以暴露互连结构的表面。凸块形成为在开口内凹进并被设置在互连结构的表面之上。提供一种半导体封装。半导体封装被设置在密封剂的第二表面之上并且被电连接到凸块。在半导体封装之上形成多个互连结构以将半导体封装电连接到凸块。半导体封装包括存储器件。半导体器件包括小于1毫米的高度。开口包括通过激光直接烧蚀形成的锥形侧壁。 |
