晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置
基本信息
| 申请号 | CN200810033938.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101311344B | 公开（公告）日 | 2010-08-04 |
| 申请公布号 | CN101311344B | 申请公布日 | 2010-08-04 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 楼祺洪;袁志军;周军;董景星;魏运荣;赵宏明 | 申请（专利权）人 | 南京中安光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所;南京中安光电科技有限公司 |
| 地址 | 201800 上海市800-211邮政信箱 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置，其特点是由激光源、分光器、光束整形系统、多晶硅薄膜基片、光学聚焦系统、受激拉曼光谱接收系统、拉曼数据分析并反馈系统和移动工作台组成，本发明可以为多晶硅薄膜的制备的同时进行在线检测，为多晶硅薄膜的制备提供最佳的能量密度，所述的检测为非破坏性测试，具有测试成本低、检测快捷等优点；更重要的是，本装置可以精确地检测多晶硅薄膜的粒度，提高优良率并增加产能。适用于产业化多晶硅薄膜的制备和实时检测，可精确检测晶粒大小并对激光能量密度实时监控。 |
