基于铒镱共掺双包层光纤的中红外高功率激光光源
基本信息
申请号 | CN200710042422.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN100452572C | 公开(公告)日 | 2009-01-14 |
申请公布号 | CN100452572C | 申请公布日 | 2009-01-14 |
分类号 | H01S3/067(2006.01);H01S3/08(2006.01);H01S3/0941(2006.01);H01S3/108(2006.01);H01S3/00(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 周军;蔡虹;董景星;张芳沛;楼祺洪;魏运荣 | 申请(专利权)人 | 南京中安光电科技有限公司 |
代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所;南京中安光电科技有限公司 |
地址 | 201800上海市800-211邮政信箱 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种基于铒镱共掺双包层光纤的中红外高功率激光光源,其构成包括:高功率半导体激光器和自该高功率半导体激光器的输出端依次设置的传能光纤、第一光纤光栅、第二光纤光栅、铒镱共掺双包层光纤、准直透镜、聚焦透镜、非线性晶体和准直输出透镜。所述的铒镱共掺双包层光纤熔接有对1.06μm附近波长λ1和对1.56μm附近波长λ2具有高反射率的第一光纤光栅、第二光纤光栅与铒镱共掺双包层光纤的另一端的端面构成谐振腔,从而实现波长为λ1和λ2的高功率激光输出并通过消色差透镜聚焦于非线性晶体,在非线性晶体内进行差频,经准直输出透镜输出中红外光高功率激光。本发明具有激光转换效率高、结构简单、体积小、重量轻、系统稳定性高等优点。 |
