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一种MEMS温湿压三合一传感器芯片及其制造工艺

基本信息

申请号	CN202111252208.9	申请日	-
公开（公告）号	CN114152360A	公开（公告）日	2022-03-08
申请公布号	CN114152360A	申请公布日	2022-03-08
分类号	G01K7/16（2006.01）I;G01L1/18（2006.01）I;G01N27/22（2006.01）I	分类	测量；测试;
发明人	陈果;吴世海;韩立业;李江龙;鲍义东;王江	申请（专利权）人	贵州航天智慧农业有限公司
代理机构	贵阳中新专利商标事务所	代理人	李龙
地址	550025贵州省贵阳市贵阳国家高新技术产业开发区金阳科技产业园标准厂房辅助用房B519室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种MEMS温湿压三合一传感器芯片及其制造工艺，包括SOI晶圆，SOI晶圆包括体硅层、埋氧层和器件硅层，SOI晶圆上生长有一层金属薄膜，金属薄膜上通过作图案化构造有测温电阻和测压电阻,金属薄膜外还沉积一层SiO2层作为温度补偿层和内层介质，SiO2层上作图案化形成有通孔，SiO2层上沉积一层导电金属层，导电金属层上作图形化形成有金属焊盘和金属连接线，以将压敏电阻连接成惠斯通电桥，该导电金属层上还图形化作出有测湿用叉指式结构，SOI晶圆衬底背部刻蚀有腔体结构。以解决现有传感器不利于部分场景下智能产品的整体尺寸控制，缺少复合温湿压测量功能的便捷设计，部分带有复合测量功能的设计不能有效减少寄生电容等问题。属于传感器技术领域。