一种压阻式MEMS传感器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111263794.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114184309A | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN114184309A | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | G01L1/18（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 陈果;吴世海;李江龙;鲍义东;王江 | 申请（专利权）人 | 贵州航天智慧农业有限公司 |
| 代理机构 | 贵阳中新专利商标事务所 | 代理人 | 李龙 |
| 地址 | 550025贵州省贵阳市贵阳国家高新技术产业开发区金阳科技产业园标准厂房辅助用房B519室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种压阻式MEMS传感器及其制备方法，包括SOI晶圆，SOI晶圆由依次设置的体硅层、埋氧层和器件硅层组成，器件硅层上生长有一层金属薄膜，金属薄膜上通过作图案化构造有压敏电阻,压敏电阻外还沉积一层顶部绝缘层，顶部绝缘层上作图案化形成有连通至压敏电阻的通孔，顶部绝缘层上还沉积一层导电金属层，导电金属层上作图形化形成有金属焊盘和金属连接线，压敏电阻通过导电金属层连接形成惠斯通电桥，体硅层上刻蚀形成有压力敏感薄膜。以解决压阻式MEMS压力传感器的灵敏度与膜厚之间的折中问题。属于MEMS传感技术领域。 |
