一种WSe2‑SnS2p‑n结纳米材料及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201710331219.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107345136A | 公开（公告）日 | 2017-11-14 |
| 申请公布号 | CN107345136A | 申请公布日 | 2017-11-14 |
| 分类号 | C09K11/88(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y20/00(2011.01)I | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 王笑;潘安练;朱小莉;刘建哲;徐良 | 申请（专利权）人 | 黄山博蓝特光电技术有限公司 |
| 代理机构 | 长沙市融智专利事务所 | 代理人 | 黄山博蓝特光电技术有限公司 |
| 地址 | 245000 安徽省黄山市屯溪区奕棋镇龙井路11号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种WSe2‑SnS2 p‑n结纳米材料及其制备方法；属于层状合金材料复合结构制备技术领域。所述p‑n结纳米材料以WSe2层作为底层，在所述底层上堆叠有SnS2层；得到所述WSe2‑SnS2 p‑n结纳米材料。所设计的材料中，堆叠在底层上的SnS2层在垂直方向投影所得面积小于底层在垂直方向投影所得的面积。其通过严格控制参数的两次CVD沉积得到。本发明所设计WSe2‑SnS2 p‑n结纳米材料展现出了明显p‑n的特性，结区具有明显的整流特性。其用作光电探测器具有高速响应时间等优异特性。 |
