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一种基于S含量梯度变化的类硫硒化镉纳米带的波长选择性光探测器及其构建方法

基本信息

申请号 CN201710330199.8 申请日 -
公开（公告）号 CN107316908A 公开（公告）日 2017-11-03
申请公布号 CN107316908A 申请公布日 2017-11-03
分类号 H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/10(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 王笑;朱小莉;蓝文安;潘安练;刘建哲;徐良 申请（专利权）人 黄山博蓝特光电技术有限公司
代理机构 长沙市融智专利事务所 代理人 黄山博蓝特光电技术有限公司
地址 245000 安徽省黄山市屯溪区奕棋镇龙井路11号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种基于S含量梯度变化的类硫硒化镉纳米带的波长选择性光探测器及其构建方法，属于低维半导体材料光电应用技术领域。本发明所设计的选择性光探测器由n个电极和类硫硒化镉纳米带构成；所述n大于等于3；所述类硫硒化镉纳米带的化学式为CdSxSe1‑x；所述类硫硒化镉纳米带上，S的含量呈梯度变化；所述x小于1。波长选择性光探测器构建方法为将梯度纳米带分散到SiO2基底上,经过光刻，热蒸发60/20nm Cr/Au,去胶后得到纳米带器件。本发明通过选择单根纳米带不同位置的电极可以得到对应的波长范围的光探测。该探测器可以应用于纳米级光电集成电路。