首页/ 华坪隆基硅材料有限公司/ 专利详情

单晶炉热场装置、单晶炉及单晶生长控制方法

基本信息

申请号 CN202010043383.6 申请日 -
公开（公告）号 CN113122910A 公开（公告）日 2021-07-16
申请公布号 CN113122910A 申请公布日 2021-07-16
分类号 C30B15/00（2006.01）I;C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 邓浩;严立新;付泽华;马少林;王建波;马宝;文永飞;谢志宴 申请（专利权）人 华坪隆基硅材料有限公司
代理机构 北京工信联合知识产权代理有限公司 代理人 白晓晰
地址 674800云南省丽江市华坪县石龙坝镇清洁载能产业园区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开单晶炉热场装置、单晶炉及单晶生长控制方法。该单晶炉热场装置，包括：热屏，所述热屏在其中心形成有气流通道；换热部件，所述换热部件设置在所述气流通道内，并围合地形成提拉通道；所述热屏用于设置在坩埚的上方；所述热屏具有底部，所述底部至少部分地阻挡在所述换热部件与所述坩埚内的硅熔体液面之间。该单晶炉热场装置在热屏形成的气流通道内，设置换热部件，快速带走结晶释放的潜热；热屏的底部至少部分地阻挡在所述换热部件与硅熔体液面之间，改善热屏的效能；增加晶体纵向温度梯度，提高晶体生长速度。