一种低导通电阻、小栅电荷的双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201710781882.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107731912B | 公开（公告）日 | 2019-10-29 |
| 申请公布号 | CN107731912B | 申请公布日 | 2019-10-29 |
| 分类号 | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/331 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成 | 申请（专利权）人 | 东莞清芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 西安智大知识产权代理事务所 | 代理人 | 西安交通大学;东莞清芯半导体科技有限公司 |
| 地址 | 710048 陕西省西安市咸宁路28号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种低导通电阻、小栅电荷的双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第二导电类型衬底和漏极。本发明所述第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。 |
